Super-rýchly 512 GB eUFS 3.0 pamäťový čip

512 GB eUFS 3.0

Už aj najnovšia generácia smarfónov od Samsungu, dostala štedrú nádielku vnútornej pamäte.

Základné vnútorné úložisko, má pri všetkých modeloch kapacitu 128 GB. Do modelového radu S10 sa pritom nedostali najnovšie, najrýchlejšie a ani najväčšie pamäte, ktorými Samsung disponuje. Spoločnosť Samsung iba včera informovala, že jej super-rýchly 512 GB eUFS 3.0 pamäťový čip, smeruje do sériovej výroby.

Nový pamäťový čip je prvým svojho druhu a do smartfónov prinesie nové možnosti. Spoločnosť Samsung tvrdí, že tento čip je dvakrát rýchlejší ako čipy UFS 2.1, ktoré môžeme vidieť v mnohých vlajkových lodiach aj dnes, vrátane modelového radu Galaxy S10.

Je jasné, že táto nová čipová sada prichádza pomerne neskoro, aby sa dostala do smartfónov radu Galaxy S10 a poskytla im svoje výhody. Koniec koncov, veľká časť predobjednávok týchto zariadení je už pripravená, aby sa začiatkom marca dostala k prvým používateľom.

Je pritom vysoko pravdepodobné, že nový pamäťový čip sa objaví už pri ďalších vlajkových modeloch, ktoré sa predstavia neskôr. Nebude ani žiadnym prekvapením, že Galaxy Note 10, bude používať spomínaný, super-rýchly 512 GB eUFS 3.0 pamäťový čip.

Nové riešenie prináša skutočnú rýchlosť, ktorá je štyrikrát rýchlejšia než rýchlosť SSD disku a až 20 krát rýchlejšia ako bežná microSD karta. To umožní prémiovým zariadeniam preniesť napríklad Full HD film do PC, približne za 3 sekundy.

Spoločnosť Samsung informuje, že pamäťové verzie čipu eUFS 3.0 s kapacitou úložiska 128 GB a 512 GB, budú k dispozícii už v priebehu pár dní. V druhej polovici roka, spoločnosť Samsung plánuje spustiť produkciu aj pre verzie s 256 GB a 1 TB a sprístupniť ich výrobcom zariadení. Vyzerá to skutočne tak, že prichádza “Nová doba pamäťová”.

Zdroj: touchit.sk

Napsat komentář